- reverse gate voltage
- n ELECTRON Rückwärtssteuerspannung f
Dictionary English-German Informatics. 2015.
reverse gate voltage
Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:
Gate turn-off thyristor — For other uses of the word, see GTO (disambiguation). GTO thyristor symbol A gate turn off thyristor (GTO) is a special type of thyristor, a high power semiconductor device. GTOs, as opposed to normal thyristors, are fully controllable switches… … Wikipedia
Reverse Short Channel Effect — The reverse short channel effect is a secondary effect describing the reduction in threshold voltage Vth in MOSFETs with non uniformly doped channel regions as the gate length increases. Since drive current is primarily determined by Vth, longer… … Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
CV/Gate — (an abbreviation of Control Voltage/Gate) is an analog method of controlling synthesizers, drum machines and other similar equipment with external sequencers. The Control Voltage typically controls pitch and the Gate signal controls note on/off.… … Wikipedia
High-voltage direct current — HVDC or high voltage, direct current electric power transmission systems contrast with the more common alternating current systems as a means for the bulk transmission of electrical power. The modern form of HVDC transmission uses technology… … Wikipedia
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20332 84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 110. Время включения тиристора E. Turn on time F. Temps d’amorcage tувкл, tвкл Интервал времени, в течение которого тиристор… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
обратное импульсное напряжение управления тиристора — Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии. Обозначение Uу,и,обр URGM [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN peak reverse gate voltage FR tension inverse… … Справочник технического переводчика
Обратное импульсное напряжение управления тиристора — 34. Обратное импульсное напряжение управления тиристора E. Reak reverse gate voltage F. Tension inverse de pointe de gâchette Uу,и,обр Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
semiconductor device — ▪ electronics Introduction electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… … Universalium
